Нынешние запоминающие устройства используют ферромагнитные материалы, у которых спин атомов ориентирован в одном направлении. Учёные IBM экспериментировали с нетипичной формой магнетизма, называемой антиферромагнетизмом: спин атомов ориентирован в противоположных направлениях. Благодаря этому намагниченность тела в целом очень мала, что позволяет многократно повысить плотность хранения информации.
Для формирования одного бита информации из 12 атомов использовался сканирующий туннельный микроскоп. Однако подобная структура остаётся стабильной только при очень низких температурах — около минус 270 градусов Цельсия, что близко к абсолютному нолю. Для надёжного хранения данных при комнатных температурах потребуется около 150 атомов на один бит.
IBM отмечает, что технология теоретически позволяет формировать накопители, плотность хранения информации которых как минимум в 100 раз превосходит показатели современных винчестеров и твердотельных дисков.
Исследователи полагают, что на создание опытных образцов запоминающих устройств, использующих предложенную методику, уйдёт от пяти до десяти лет, пишет compulenta.
